第二十一章 一步之遥 (第2/2页)
　　
　　博士把完成刻蚀、去光刻胶清洗后的硅晶片，放入离子注入机，这机器以前张亿诚倒是见过也用过，原理就是先把要对凹形内要掺杂物质如硼、磷或者砷之类先离子化；在利用质量分离器取出需要的杂质离子，分离器中装有磁体和屏蔽层，由于质量，电量的不同不需要的离子将被磁场分离，并且被屏蔽层吸收掉，有点类是铁矿石选矿机的工作原理，只是更微型化。通过磁场中的加速，离子会被加速到一个很高的速度，专业术语叫能级；这时通过特殊的装置这些离子会聚成离子束，在扫描系统控制下，离子束高速轰击在注入室的硅晶片上，这个时候SIO2被刻蚀掉的凹形区里，离子直接射入衬底材料（高存硅）的晶体中、不需要的离子通过别的装备被引走，就形成了掺杂区，这个时候的掺杂区还很薄，就要在机器中对此时的晶圆在惰性气体中进行退火处理，高热会使分子原子自由剧烈运动使原来因为剧烈撞击而偏移的硅晶原子回到原来的位置，而杂志会往更深处运动就形成了P阱推进，达到技术的要求。
　　
　　也许实在是分不开精神，博士从开始把硅晶圆放入离子机就一直没有处于沉默状态，专心致志的与手上的离子机打着交道，老富兰克林也目不转睛的看着博士的操作。他在等待着博士的接下来的解说，但是遗憾的是博士一直处于忙碌的状态中。张亿诚和迪尔博士之所以带富兰克林进来也就已经和他签好协议，准备培养他做生产部门的负责人，他从事于电子行业也有几十年有一定的基础。等到博士完全的忙完，才像他们做了说明，张亿诚虽然知道原理但是与目前的实际相互验证反而理解的比老富兰克林还深刻。（作者注：现在知道为什么叫半导体了吧，高存硅本身是不导电的，但是这一步骤经过稍微离子注入掺杂后，导电就非常强了。）
　　
　　教授开始介绍下一步“离子注入完成后我们就需要在整个的表面通过氧化和淀积法再次形成一层的SIO2绝缘层，然后通过外延生长沉积一层SI3N4（氮化硅）这时一个循环就算完成，后续的工作定义NMOS管和PMOS管的有源区等和刚才我们的P阱光刻是同一个步骤，只须照着图纸的说明就可以做出具有逻辑回路的大规模集成电路，仅仅最后的金属溅射和形成金属层使之能够形成连接各个逻辑定义区域的接触线和形成焊盘稍微有些麻烦。所以下面重复的操作我将不做说明，你们仔细看，然后有实在不明白的在提问，OK？”
　　
　　张亿诚和富兰克林同时回答道“NOPROBLEMSIR!”
　　
　　这技术难写，好在原理写出来了，如果大家有想知道细节的，我在书评给你们回答！