第二十章 过程 (第2/2页)
　　
　　“下面我们要进行曝光了，布鲁斯你要仔细的看，这个时候的曝光就是将我们制作的掩模覆盖在涂有光刻胶的晶圆上，你了解照相机的工作原理吗？光刻掩模相当于照相的底片，一定波长的光线通过这个底片，使光刻胶获得与掩模图形同样的感光图形。当然这个时候的我们可以使用的光源可以是可见光、紫外线、X射线和电子束。而光量，时间则取决于我们的光刻胶的型号，形成的图层的厚度和我们需要的成像深度；这里我们取用紫外线。”博士耐心的像张亿诚作着说明。
　　
　　“曝光我们分3种方法，接触式曝光和接近式曝光和投影式曝光，早起我们在德州仪器的时候基本使用的都是接触式曝光方法，他具有很高的分辨率，但是缺点也很明显容易造成掩模版和光刻胶膜的损伤。”博士边说还边用他前面的机器做操作示范，由于室内全是黄色的灯，所以张亿诚也看不清这台机器究竟什么颜色，人头低下去的地方是个类似向下的望远镜，这是为了方便内部的观测，望远镜的下面是一个对机器可以进行升高降低左右调节的转盘，在转盘的左边是机器臂，右边是控制系统的面板，这是张亿诚大致看到的。
　　
　　“这是我们目前在实验室的曝光系统，虽然技术老旧了点，但是用于做试验还是很物廉价美的。”博士笑了笑说的张亿诚有点不好意思，还是资金紧张啊。然后博士接着说道“后面我们进行正式生产的设备将会是另外的非接触的曝光系统。眼前的这个接触式曝光系统原理很简单，就是用点光源产生的光经凹面镜的反射的发散光束，在经过透镜形成平行光束，然后照射到前方的与水平成45度角的反射镜上，，经过折射正好投射到水平工作台上的掩模上；由于掩模和晶圆表面的光刻胶层是紧密接触的，这样掩模上的图案正好曝光在了光刻胶层。这有一点很重要，掩模与光刻胶层的压力大小，通常我们的压力都是0.05~0.3ATM，而光源的波长也有很严格的要求，在0.4μM左右。”边说教授边把刚才完成涂光刻胶的晶圆一一的在机器里曝光。
　　
　　在聚精会神操作的同时又说道“这种方法在实验室里还可以用用，生产中基本已经淘汰了，要想实现掩模和晶圆之间理想接触的制约因素太多，掩模本身不平坦、晶圆表面有轻微凹凸、掩模和晶圆之间有灰尘、掩模和晶圆每次接触产生的磨损使掩模可使用次数收到的限制，这些都会造成大规模工业生产的不确定的质量问题。至于非接触式的曝光在后面我们进行工业试生产的时候我在介绍给你。”博士把张亿诚说的是半懂不懂，张亿诚几乎感到自己听的是云里雾里的。
　　
　　“经过对准的曝光后，那么芯片的轮廓基本就会成型了，但是这个时候我们还需要对曝光之后的晶圆进行显影、定影、坚膜等步骤的必要操作，使光刻胶膜上我们需要的区域保留下来，而不需要的区域将被溶解掉，这样就形成我们需要的版图图形。”迪尔博士一遍说一边做着这些工作。