第十九章 气相成底膜和光刻胶 (第2/2页)
　　
　　张亿诚看到博士把一罐大致标注着正胶的很小的管口接到涂光刻胶机器顶上伸出来的管子上，“博士，那是正胶，那么是不是还有负胶啊？”张亿诚好奇的问道。
　　
　　“是的，你说的很正确，光刻胶目前市场上有2种，也就是你说的正胶和负胶，现在我必须和你说说光刻胶，让你对它有基本的概念，它是一种有机化合物，在触光曝光后会发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生非常明显的变化。这样在显影液中的光刻胶已经曝光的部分会被溶解掉，而没有曝光的部分在显影液中几乎又不溶解；即可以做晶圆上的图形模版也就是掩膜版转移到晶圆上的图形而且在后面的工艺中还可以保护下面的材料，它的主要成分就是感光树脂、增感剂、溶剂和一些添加剂。”真是步步皆学问啊，张亿诚感叹。
　　
　　“那么正、负光刻胶又有那些区别呢？他们主要又有那些物理特性？”张亿诚看着博士接着问。
　　
　　博士知道眼前这个学生是个勤奋好学的好学生，前面当他看到张亿诚的那份集成电路的设计图时他确信这是个天才的设计师，但是对于工艺技术很显然还是个门外汉，这个问题博士思考了一会，他在想着怎么组织语言能够更简洁明了的说明白。“通常来说他们主要有4点区别：一，分辨率，相对来说正光刻胶的分辨率要优于负光刻胶，市场上非常好的负光刻胶的分辨率也才能达到2μM；二，负光刻胶在曝光后会硬化而变得不可溶解，显影后图像会与我们原先掩膜版的图形相反；三，正光刻胶曝光时会软化，变得可溶解，显影后图形与原先掩膜版图形是一个样子的；最后一点其实是正光刻胶的缺点，正光刻胶的粘附性相比负光刻胶较差。”
　　
　　“至于物理特性”停顿了一下博士又拿了一罐全新的光刻胶指着商标上标注的特性开始解释说道“你可以从下面几个方面进行理解，分辨率他是区别晶圆表面上两个或者更多临近特征图形的能力，芯片内核本身是一个一个的三维图形的；至于对比度是光刻胶上从曝光区到非曝光区过度的陡度；还有敏感性就是晶圆表面光刻胶中产生一个良好图形所需要的一定波长光的最小能量值一般单位是MJ每平方厘米，提供给光刻胶的光能量值通常成为曝光量；下面的粘滞性是对于液体光刻胶来说其流动特性的定量指标，粘滞性增加，光刻胶流动的趋势变小，反之相反；粘附性与粘滞性虽然一字之差但是他们却是2个概念，粘附性指的是描述光刻胶粘于衬底的强度；抗蚀性，是我们后续的蚀刻程序中保护衬底表面的能力；表面张力，你可以这样理解，他是液体中将表面份子拉向液体主体内的分子间吸引力；至于存储和传送就更好理解，是关于光刻胶本身的最长闲置期限和存储温度，通俗的说就是在什么样的温度条件下的保质期；最后还需要考虑的是光刻胶本身的纯度。”说完博士长长的出了一口气，尽管隔着口罩，张亿诚也一样知道要像把这么复杂的问题说明白不是一件简单的事，看旁边的老富兰克林的样子也一样是一副有听没有懂的表情。